2SJ058200L,2SJ058200L|Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products代理分銷-2SJ058200L原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | 2SJ058200L View all Specifications |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 2SJ058200L |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 | U-G2 Type |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 2 歐姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 400pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 10W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | U-G2 |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | 2SJ058200LTR |
