數據列表 | 2SK669 |
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產品相片 | 3-SPA |
產品目錄繪圖 | SPA Package N-Channel Top |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 50V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 100mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 20 歐姆 @ 10mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 15pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 200mW |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | 3-SIP |
供應商器件封裝 | 3-SPA |
產品目錄頁面 | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 869-1019 |