典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 17(N 通道)ns,20(P 通道)ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 7 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ 10 V(N 溝道),17 nC @ 10 V(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 1000 pF @ 20 V(P 溝道),750 pF @ 20 V(N 溝道) | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6.22mm | |
封裝類(lèi)型 | TO-252 | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
引腳數(shù)目 | 5 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3100 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 40 V | |
最大漏源電阻值 | 0.024(N 通道)Ω,0.054(P 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.5(P 通道)A,9(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N,P | |
配置 | 共漏極、雙 | |
長(zhǎng)度 | 6.73mm | |
高度 | 2.39mm |