-
場效應(yīng)管 MOSFET N D-PAK
-
晶體管極性:
N溝道
-
電流, Id 連續(xù):
9A
-
漏源電壓, Vds:
200V
-
在電阻RDS(上):
280mohm
-
閾值電壓, Vgs th 典型值:
5V
-
功耗, Pd:
2.5W
-
封裝類型:
TO-252
-
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (20-Jun-2013)
-
SMD標(biāo)號:
FQD12N20
-
封裝/箱盒:
DPAK
-
封裝類型, 其它:
D-PAK
-
電壓 Vgs @ Rds on 測量:
10V
-
電壓, Vds 典型值:
200V
-
電流, Idm 脈沖:
36A
-
閾值電壓, Vgs th 最高:
5V
產(chǎn)地:
KR
Korea (Republic of)
手機網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息:
FQD12N20
旗下站點
www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息:
FQD12N20旗下站點
www.tousu.net.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無相關(guān)型號