-
芯片 MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3相 高邊&低邊
-
器件類型:
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)
-
模塊配置:
半橋
-
輸出電流 峰值:
200mA
-
電源電壓最小??:
10V
-
電源電壓最大值:
20V
-
封裝類型:
DIP
-
針腳數(shù):
28
-
輸入延遲:
425ns
-
輸出延時(shí):
400ns
-
工作溫度最小值:
-40°C
-
工作溫度最高值:
125°C
-
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
-
偏移電壓:
600V
-
功耗, Pd:
1.5W
-
器件標(biāo)號(hào):
21365
-
封裝/箱盒:
DIP
-
工作溫度范圍:
-40°C 至 +125°C
-
電壓 Vcc 最低:
12V
-
電壓, Vcc 最大:
25V
-
電源形式:
三相
-
電源電壓范圍:
10V 至 20V
-
芯片標(biāo)號(hào):
21365
-
表面安裝器件:
通孔
-
輸出數(shù):
6
-
輸出電壓:
620V
-
輸出電壓 最大:
20V
-
輸出電壓 最小:
10V
-
輸出電流:
200mA
-
輸出電流 + 最大:
250mA
-
輸出電流 汲入型 最小:
250mA
-
輸出電流 流出型 最小:
120mA
-
邏輯功能號(hào):
21365
產(chǎn)地:
US
United States
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息:
IR21365PBF
旗下站點(diǎn)
www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息:
IR21365PBF旗下站點(diǎn)
www.tousu.net.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無相關(guān)型號(hào)