IRF5802,IRF5802|International Rectifier代理分銷-IRF5802原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 標準包裝 ： | 100 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 900mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.2 歐姆 @ 540mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 5.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 6.8nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 88pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | Micro6™(TSOP-6) |
| 供應商設備封裝 ： | Micro6™(TSOP-6) |
| 包裝 ： | 管件 |
