IRF6668TR1,IRF6668TR1|International Rectifier代理分銷-IRF6668TR1原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 數(shù)據(jù)列表 | IRF6668 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 設(shè)計資源 | IRF6668TR1 Saber Model IRF6668TR1 Spice Model |
| PCN Obsolescence | (PMD) Leaded Parts 25/May/2012 |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 15 毫歐 @ 12A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1320pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MZ |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET? MZ |
