SISS23DN-T1-GE3,SISS23DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷(xiāo)-SISS23DNT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢(xún)| 數(shù)據(jù)列表 | SISS23DN |
|---|---|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | * |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 27A （Ta）， 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 4.5 毫歐 @ 20A， 4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 8840pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.8W |
| 安裝類(lèi)型 | * |
| 封裝/外殼 | * |
| 供應(yīng)商器件封裝 | * |
| 其它名稱(chēng) | SISS23DN-T1-GE3TR |
