SIZ920DT-T1-GE3,SIZ920DT-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SIZ920DTT1GE3原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | SIZ920DT |
|---|---|
| 特色產品 | PowerPAIR? |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個 N 通道（半橋） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 22A，32A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 7.1 毫歐 @ 18.9A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1260pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.3W，5.2W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-PowerPair? |
| 供應商器件封裝 | 6-PowerPair? |
| 其它名稱 | SIZ920DT-T1-GE3TR SIZ920DTT1GE3 |
