數(shù)據(jù)列表 | SSM3K35MFV Mosfets Prod Guide |
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產品相片 | VESM |
產品目錄繪圖 | VESM Top VESM Side |
標準包裝 | 8,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平柵極,1.2V 驅動 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 180mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 3 歐姆 @ 50mA,4V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 9.5pF @ 3V |
功率 - 最大值 | 150mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-723 |
供應商器件封裝 | VESM(1.2x1.2) |
產品目錄頁面 | 1655 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | SSM3K35MFV(TPL3)TR SSM3K35MFVTPL3 |