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場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N 雙 SO-8
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
7.6A
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漏源電壓, Vds:
30V
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在電阻RDS（上）:
25mohm
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電壓 @ Rds測(cè)量:
10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
1V
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功耗, Pd:
2.15W
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工作溫???最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
150°C
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封裝類型:
SOIC
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針腳數(shù):
8
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD標(biāo)號(hào):
ZXMN3A04D
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功耗, Pd:
1.25W
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封裝/箱盒:
SOIC
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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總功率, Ptot:
1.25W
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晶體管數(shù):
2
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模塊配置:
雙
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溫度 @ 電流測(cè)量:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
8.5A
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漏源電壓 Vds, N溝道:
30V
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電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:
10V
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電壓, Vds 典型值:
30V
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電流, Idm 脈沖:
25A
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結(jié)溫, Tj 最大值:
150°C
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結(jié)溫, Tj 最小值:
-55°C
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連續(xù)漏極電流 Id, N溝道:
8.5A
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通態(tài)電阻 Rds(on), N溝道:
0.02ohm
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通態(tài)電阻最大值:
25mohm
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閾值電壓, Vgs th 最低:
1V
產(chǎn)地：
GB
United Kingdom
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