記憶電阻器,記憶電阻器的分類,記憶電阻器參數(shù)指標(biāo)等
基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個(gè)基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器；電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。37年前蔡少堂（Leon Chua）就預(yù)測有第四個(gè)元件的存在，即記憶電阻器（memristor），實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線性電阻器。
美國惠普公司實(shí)驗(yàn)室研究人員在5月1日出版的英國《自然》雜志上發(fā)表論文宣稱，他們已經(jīng)證實(shí)了電路世界中的第四種基本元件———記憶電阻器，簡稱憶阻器（Memristor）的存在，并成功設(shè)計(jì)出一個(gè)能工作的憶阻器實(shí)物模型。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)將有可能用來制造非易失性存儲設(shè)備、即開型PC、更高能效的計(jì)算機(jī)和類似人類大腦方式處理與聯(lián)系信息的模擬式計(jì)算機(jī)等鋪平了道路，未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達(dá)到的功能密度，對電子科學(xué)的發(fā)展歷程產(chǎn)生重大影響。
記憶電阻器作為邏輯電路
單純作為NAND型閃存芯片的替代者，在存儲業(yè)界打混并不是記憶電阻器唯一的應(yīng)用。最近小編我得到一些消息，憶阻元件并非僅僅用在存儲領(lǐng)域，同樣也可以用于半導(dǎo)體邏輯芯片中。其中惠普公司已經(jīng)宣布，他們所研制的芯片可以執(zhí)行邏輯功能。換句話說，記憶電阻器既可以作為一個(gè)存儲單元件，同時(shí)也可以作為邏輯執(zhí)行元件。它是一道鎖，也可以是一道門。
記憶電阻器最初的用途可能是用來代替閃存為存儲業(yè)界提供更高規(guī)格的存儲解決方案。而隨著時(shí)間的推移，他們可以作為一個(gè)大型數(shù)據(jù)中心在DRAM與HDD之間的緩沖層。此后記憶電阻器產(chǎn)品將直接接管閃存和硬盤成為終極存儲產(chǎn)品。但是在這種情況下，記憶電阻器內(nèi)的數(shù)據(jù)仍然需要處理器這樣的邏輯執(zhí)行芯片進(jìn)行處理。
