迅盤,迅盤的簡(jiǎn)介，存儲(chǔ)介質(zhì)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)
所謂迅盤，就是Intel提出的Turbo Memory，俗稱硬盤加速卡、Robson卡或flash cache
module，是英特爾在迅馳技術(shù)的傳統(tǒng)三大件處理器、芯片組和無線網(wǎng)卡之后，又附加的一個(gè)配件。
迅盤實(shí)際上就是一個(gè)NAND Flash模塊，其外型是在一片長(zhǎng)方形的電路板，有一顆控制芯片跟數(shù)個(gè)NAND顆粒。Turbo Memory迅盤模塊可安裝在筆記本主機(jī)的MiniCard插槽上，跟無線網(wǎng)卡的接口相同，也同樣是通過PCI-E接口連接南橋芯片。
大致上，Turbo Memory迅盤到目前為止一共推出兩代產(chǎn)品，核心代號(hào)稱為Robson。第一代是迅馳Santa Rosa平臺(tái)新增的一項(xiàng)選配組件， 容量有512MB和1GB兩種規(guī)格，第二代大致與迅馳2
Montevina平臺(tái)同期推出，有2GB和4GB兩種規(guī)格。
Turbo Memory迅盤的原理很簡(jiǎn)單，利用閃存來代替硬盤儲(chǔ)存啟動(dòng)操作系統(tǒng)所需的文件，再利用其存取速度高于硬盤的優(yōu)勢(shì)，讓開機(jī)速度加快，并在應(yīng)用程序執(zhí)行時(shí)作為CPU與內(nèi)存間的緩存區(qū)，達(dá)到加快存取速度的目的。而且閃存不像物理內(nèi)存那樣需隨時(shí)供電，也不像硬盤那樣需要供應(yīng)高轉(zhuǎn)速馬達(dá)的電力，所以整體平臺(tái)也較為省電。
介紹迅盤的存儲(chǔ)介質(zhì)--NAND高速閃存模塊。提到高速閃存模塊，就要從閃存模塊的種類談起。
·閃存的種類：NOR與NAND
一般高速閃存模塊分為兩種規(guī)格，NOR Flash和NAND Flash，它們均為非易失性閃存模塊。NOR又稱Code Flash，有些類似于DRAM。它以存儲(chǔ)程序代碼為主，所以可以讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為512MB。而NAND閃存則更像硬盤，它以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為主，故又稱Data Flash。它的特點(diǎn)是晶片容量大，目前主流容量分為512MB、1GB、2GB等。二者最大的區(qū)別在于讀寫速度，NAND閃存寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，但是NOR閃存在讀取資料的速度則快于NAND規(guī)格。NAND多應(yīng)用在小型機(jī)，以儲(chǔ)存資料為主，NOR規(guī)格則多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī)。
Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。隨后，1989年，東芝 公司發(fā)表了NAND Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。在近20年的時(shí)間里，這兩種類型的閃存技術(shù)被廣泛應(yīng)用到手機(jī)市場(chǎng)、數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)以及移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。
