DRAM,特點及發(fā)展趨勢,DRAM產(chǎn)業(yè),DRAM市場
1、DRAM市場下滑
2011年很可能是NAND之年，而不是DRAM之年。平板電腦已經(jīng)開始吞噬低端筆記本/上網(wǎng)本市場。在這種情況下，DRAM容量達2GB的小型筆記本電腦已被平板電腦取代，而后者僅提供256Mb或1/8大小的容量。因此，DRAM供應過剩。
2、采用30nm節(jié)點工藝
總體而言，所有廠商正在遷移到各種形式的3xnm中來。三星和海力士都遷移到了3xnm。有趣的是，爾必達也試圖實現(xiàn)從65nm或65xS（65nm的縮小版）到3xnm的飛躍，力爭大幅度降低成本。
3、韓國制造商壟斷市場
與呈現(xiàn)分級局面的NAND市場不同，DRAM市場則存在被韓國制造商壟斷的風險。目前，在前端（利潤最大的技術(shù)）只有三星和海力士稱得上是一級廠商，而美光、南亞、華亞（資金、技術(shù)略微落后）屬于二級廠商，爾必達、力晶、瑞晶（技術(shù)、資金比較落后，但尋求實現(xiàn)重大飛躍）屬于三級廠商。
對于DRAM市場，三星優(yōu)勢明顯。他們還專注于制造30nm DRAM所需的 （阿麥斯公司） NXT （微影）工具市場。三星在這一年成功地增加了他們在DRAM市場的份額。相比全球DRAM市場大約45%～50%的增長率，三星實現(xiàn)了近70%的增長率。
海力士是一家知名的DRAM廠商，僅次于三星。目前唯一的問題在于債務負擔和所有制結(jié)構(gòu)，我們希望這些問題會在2011年得到解決。海力士在韓國M10晶圓廠和無錫（中國）生產(chǎn)4xnm和3xnm的DRAM，緊隨三星之后。隨著明年海力士從8F2架構(gòu)移動到6F2架構(gòu)，我們將會看到他們?nèi)〉酶蟮某晒Α?/FONT>
4、美光陣營的艱難時期
曾幾何時，美光似乎也躋身到一級廠商的陣營中，事實上，在2009年間美光已被評定為一級廠商，但這是依賴于他們完美地進行了DRAM電容規(guī)格過渡而實現(xiàn)的。2010年初的大批訂單開了個好頭，但所帶來的收益卻不夠充足，全年的增長率也開始下降。
溝槽式到堆棧式的過渡并不十分順利（對于美光的臺灣合作伙伴而言）。南亞和華亞仍舊在努力生產(chǎn)50nm的DRAM，對于我們所期待的向40nm和30nm轉(zhuǎn)變將十分困難。但至少隨著溝槽式到堆棧式過度的完成，明年的情況或許會有所改觀。因此，或許今年可以被記錄一個學習曲線，隨著明年美光與其合作伙伴南亞以及華亞擁有取得進展的必要資金，都將實現(xiàn)4xnm和3xnm的轉(zhuǎn)變。跡象表明，2011年美光能夠指導他們2/3的資本支出投向NAND。
5、爾必達的壓賭
爾必達已經(jīng)盡其所能爭取回到主要DRAM廠商的地位。首先，臺灣政府對DRAM的經(jīng)濟援助并未成功，但瑞晶、麗晶與茂德公司的合作關(guān)系依舊保持。現(xiàn)在，爾必達正努力提高在日本和臺灣金融市場的融資。此外，在技術(shù)方面該公司推出了65nm XS，一個縮小的65nm DRAM芯片版本，這種芯片可使其在DRAM價格持續(xù)上升時仍能獲得利潤。另外，該公司正在努力實現(xiàn)40nm和30nm的飛躍。
