吸收電容,吸收電容的分類,吸收電容參數(shù)指標等
雙面金屬化膜內(nèi)串結構、特別的內(nèi)部設計和端面噴金技術，使電容具低感抗，多條引線設計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。
電容結構: 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結構
封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準.
尺寸: 適合于各種IGBT保護。
電容量: 0.0047 to 6.8μF
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF
測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min
工作溫度: -40~+85℃
