場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi),場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)指標(biāo)等
場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（縮寫(xiě)為JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（縮寫(xiě)為JGFET），從導(dǎo)電方式看，場(chǎng)效應(yīng)管分為N型溝道型與P型溝道型。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型和耗盡型兩種，而JFET只有耗盡型。
一、基本結(jié)構(gòu)
場(chǎng)效應(yīng)管是利用改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性，不是像三極管那樣用電流控制PN結(jié)的電流。因此，場(chǎng)效應(yīng)管可以工作在極高的頻率和較大的功率。此外，場(chǎng)效應(yīng)管的制作工藝簡(jiǎn)單，是集成電路的基本單元。
場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵型兩種主要類(lèi)型。每種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管都有柵極g、源極s和漏極d三個(gè)工作電極，同時(shí)，每種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管都有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又叫做MOS管。根據(jù)在外加電壓Vgs=0時(shí)是否存在導(dǎo)電溝道，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又可分為上增強(qiáng)型和耗盡型。增強(qiáng)型MOS管在外加電壓Vgs=0時(shí)不存在導(dǎo)電溝道，而耗盡型MOS的氧化絕緣層中加入了大量的正離子，即使在Vgs=0時(shí)也存在導(dǎo)電溝道。
N溝道絕緣柵型
g為柵極，s為源極，d為漏極，B襯底
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)基本相同，主要的區(qū)別在于柵極g與通道半導(dǎo)體之間沒(méi)有絕緣。
N溝道和P溝道結(jié)型
從場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)可以看出，無(wú)論是絕緣柵型還是結(jié)型，場(chǎng)效應(yīng)管都是兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。電流通路不是由PN結(jié)形成的，而是依靠漏極d和源極s之間半導(dǎo)體的導(dǎo)電狀態(tài)來(lái)決定的。
二、電路符號(hào)
