GaN基材料,GaN基材料的發(fā)展歷史,GaN及其三元化合物的基本特性,GaN基材料的生長(zhǎng)技術(shù),GaN基材料的應(yīng)用,GaN基材料的典型應(yīng)用及現(xiàn)狀
GaN 基材料主要包括 GaN 及其與 InN、AlN 的合金,其禁帶寬度覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光及紫外光譜范圍。 GaN 及其三元化合物通常是以六方對(duì)稱性的纖鋅礦結(jié)構(gòu)存在,但在一定條件下也能以立方對(duì)稱性的閃鋅礦結(jié)構(gòu)存在。2 種結(jié)構(gòu)的主要差別在于原子層的堆積次序不同,因而電學(xué)性質(zhì)也有顯著差別。由于閃鋅礦結(jié)構(gòu)的 GaN 不穩(wěn)定,用于器件的一般都是纖鋅礦結(jié)構(gòu)。表1 給出了2 種結(jié)構(gòu)的 GaN 及 InN、 AlN 的帶隙寬度和晶格常數(shù)。
對(duì)于 InGaN、Al GaN 等三元化合物的各項(xiàng)參數(shù)可以用插值法估算:
