GMR磁頭技術(shù),GMR磁頭技術(shù)的分類,GMR磁頭技術(shù)參數(shù)指標(biāo)等
GMR磁頭的工作原理和MR磁頭基本相同。就是利用電阻隨外部磁場的變化而變化的“磁阻效應(yīng)”，檢測磁信號。二者的不同之處在于GMR磁頭使用了電阻變化效果數(shù)倍于MR膜的GMR膜（自旋膜）。也就是說，即使磁場變化不大，GMR膜的電阻也會產(chǎn)生較大變化，因此磁頭的靈敏度得以提高。MR膜以單層結(jié)構(gòu)利用具有磁阻效應(yīng)的磁體進(jìn)行成膜，而GMR膜則采用了綜合采用多種材料的多層結(jié)構(gòu)。
GMR磁頭盡管是新技術(shù)，但磁頭價格和MR磁頭相差并不大。原因是能夠利用和MR磁頭基本相同的工藝技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。至于二者制造工藝之間的差別，頂多也就是有人會說“在于膜的層數(shù)不同”。因此，就直接運用了MR磁頭生產(chǎn)及在其使用中積累起來的知識和經(jīng)驗。比如，thermal asperity問題的解決方法。
在個人計算機(jī)市場逐步擴(kuò)大的同時，硬盤價格則一路走低。其中，1998年前后曾在業(yè)界引起轟動的、售價不足1000美元的低價計算機(jī)尤其對硬盤提出了進(jìn)一步降價和增大容量的需求。
恰逢此時亮相的GMR磁頭作為可滿足計算機(jī)廠商強(qiáng)烈降價需求的最佳技術(shù)，開始迅速普及。1998年美國IBM開始采用GMR磁頭量產(chǎn)3.5英寸臺式計算機(jī)硬盤，東芝也開始供給配備該磁頭的2.5英寸筆記本計算機(jī)硬盤樣品。當(dāng)時的面記錄密度約為3Gbit/平方英寸。
GMR磁頭的讀取功率比當(dāng)時主流的MR磁頭高2～5倍。最初曾以為利用這種優(yōu)勢，能和過去相同使面記錄密度的增長率維持在每年60％。然而，投入使用后才發(fā)現(xiàn)遠(yuǎn)非如此。年增長率豈止是60％，而達(dá)到了令人吃驚的100％。換句話說，100％的年增長率等于5年增長約100倍。考慮到60％的年增長率相當(dāng)于 5年增長10倍的速度，由此可知提高幅度異常顯著。
