功率mosfet,功率mosfet的分類(lèi),功率mosfet參數(shù)指標(biāo)等
功率MOSFET可分成兩類(lèi)：P溝道及N溝道：中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個(gè)極：漏極（D）。源極（S）及柵極（G）。有一些功率MOS-FET內(nèi)部在漏源極之間并接了一個(gè)二極管或肖特基二極管，這是在接電感負(fù)載時(shí)，防止反電勢(shì)損壞 MOSFET。
這兩類(lèi)MOSFET的工作原理相同，僅電源電壓控制電壓的極性相反。
截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P 基區(qū)與N 漂移區(qū)之間形成的PN 結(jié) J 1 反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。
導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓 U GS ，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面 P 區(qū)中的空穴推開(kāi)，而將 P 區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的 P 區(qū)表面,當(dāng) U GS 大于 U T （開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下 P 區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使 P 型半導(dǎo)體反型成 N 型而成為反型層，該反型層形成 N 溝道而使 PN 結(jié) J 1 消失，漏極和源極導(dǎo)電。
1、mosfet是電壓控制型器件，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)。電路較簡(jiǎn)單
2、輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上
3、工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高（開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒），開(kāi)關(guān)損耗小
4、有較優(yōu)良的線(xiàn)性區(qū)，并且mosfet的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高，噪聲也小，最適合制作Hi-Fi音響
