瞬態(tài)抑制二極管,瞬態(tài)抑制二極管的分類,瞬態(tài)抑制二極管參數(shù)指標等
Vrwm可承受的反向電壓：在此階段瞬態(tài)電壓抑制二極管為不導通之狀態(tài)。Vrwm必需大於電路的正常工作電壓, 否則瞬態(tài)電壓抑制二極管會不斷截止回路電壓。但Vrwm需要盡量與被保護回路的正常工作電壓接近,這樣才不會在瞬態(tài)電壓抑制二極管工作以前使整個迥路面對過壓威脅。
Vbr反向崩潰電壓：當瞬態(tài)電壓超過Vbr,瞬態(tài)電壓抑制二極管便產(chǎn)生崩潰把瞬態(tài)電壓抑制在某個水平,提供瞬態(tài)電流一個超低電阻通路,讓瞬態(tài)電流透過瞬態(tài)電壓抑制二極管被引開,避開被保護元件。
Ir反向漏電電流：瞬態(tài)電壓抑制二極管是以反向電流的方式連接在線路上,一般都會有10-100A的反向漏電電流。
Vc瞬態(tài)電壓抑制二極管的抑制電壓：Vc是在瞬態(tài)電壓沖擊時,例如靜電,在截止狀態(tài)所提供的電壓。Vc也是用來測定瞬態(tài)電壓抑制二極管在抑制瞬態(tài)電壓時的性能。Vc不能大於被保護迥路的可承受極限電壓,否則元件面臨被損壞。Vc通常都是越小越好。
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值：對於數(shù)據(jù)/ 訊號頻率越高的回路,瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值對電路的干擾越大。這會形成噪音或衰減訊號強度。高頻迥路或高傳輸如USB2.0,1394,需要選擇低電容值瞬態(tài)電壓抑制二極管,電容值不大於10pF。而對電容值要求不高的回路,電容值可高於100pF。
1、確定被保護電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標準電壓和“高端”容限。
2、TVS額定反向關(guān)斷VWM應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。
