半導體放電管,半導體放電管的分類,半導體放電管參數(shù)指標等
選用半導體放電管應注意以下幾點：
1、反向擊穿電壓VBR必須大于被保護電路的最大工作電壓。如在POTS應用中，最大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，最大DC電壓(150V)和最大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。
2、轉(zhuǎn)折電壓VBO必須小于被保護電路所允許的最大瞬間峰值電壓。
3、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統(tǒng)所能能提供的電流值。即：IH(系統(tǒng)電壓/源阻抗)。
4、最大瞬間峰值電流IPP必須大于通訊設備標準的規(guī)定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A；Bellcore 1089的IPP應大于25A。
5、半導體放電管處于導通狀態(tài)(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數(shù)波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。
主要特點：
