CMOS集成電路的性能和特點(diǎn)
CMOS集成電路功耗低
CMOS集成電路輸出波形的回升和降落年光大要管束
CMOS集成電路采納場(chǎng)效應(yīng)管,且但凡互補(bǔ)機(jī)關(guān),工作時(shí)兩個(gè)勾搭的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于1個(gè)管導(dǎo)通,另1個(gè)管截止的形態(tài),電路動(dòng)靜功耗其實(shí)為零。理論上,由于存在泄電流,CMOS電路還有微量動(dòng)靜功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗榜樣值僅為２0mW,動(dòng)靜功耗（在1MHz工作頻率時(shí)）也僅為幾mW。
CMOS集成電路工作電壓范圍寬
CMOS集成電路供電未便,供電電源體積小,基礎(chǔ)底細(xì)上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC４000系列的集成電路,可在三~18V電壓下畸形工作。
CMOS集成電路邏輯擺幅大
CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別瀕臨于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當(dāng)VDD=15V,VSS=0V時(shí),輸出邏輯擺幅類(lèi)似15V。是以,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數(shù)在各類(lèi)集成電路中方針是較高的。
CMOS集成電路抗困擾技巧強(qiáng)
CMOS集成電路的電壓噪聲容限的榜樣值為電源電壓的４5%,保證值為電源電壓的三0%。跟著電源電壓的減少,噪聲容限電壓的相對(duì)值將成比例減少。關(guān)于VDD=15V的供電電壓（當(dāng)VSS=0V時(shí)）,電路將有7V支配的噪聲容限。
CMOS集成電路輸出阻抗高
CMOS集成電路的輸出端1般但凡由保護(hù)２極管和勾搭電阻構(gòu)成的保護(hù)Internet,故比1般場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電阻稍小,但在畸形工作電壓范圍內(nèi),這些保護(hù)２極管均處于反向偏置形態(tài),直流輸出阻抗取決于這些２極管的透露電流,一般情況下,等效輸出阻抗高達(dá)10三~1011Ω,是以CMOS集成電路切實(shí)實(shí)在不必耗驅(qū)動(dòng)電路的功率。
CMOS集成電路溫度穩(wěn)定遵從好
由于CMOS集成電路的功耗很低,內(nèi)部發(fā)燒量少,并且,CMOS電路程路機(jī)關(guān)和電氣參數(shù)都具備對(duì)稱(chēng)性,在溫度情況發(fā)生生機(jī)更改時(shí),某些參數(shù)能起到踴躍填補(bǔ)作用,是以CMOS集成電路的溫度本色十分好。1般陶瓷金屬封裝的電路,工作溫度為-55 ~ +1２5℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-４5 ~ +85℃。
CMOS集成電路扇出技巧強(qiáng)
扇出技巧是用電路輸出端所能發(fā)動(dòng)的輸出端數(shù)來(lái)表現(xiàn)的。由于CMOS集成電路的輸出阻抗極高,是以電路的輸出技巧受輸出電容的限定,然則,當(dāng)CMOS集成電路用來(lái)驅(qū)動(dòng)同典范,如不思索速度,1般大要驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的輸出端。
CMOS集成電路抗輻射技巧強(qiáng)
CMOS集成電路中的基礎(chǔ)底細(xì)器件是MOS晶體管,屬于少數(shù)載流子導(dǎo)電器件。各類(lèi)射線(xiàn)、輻射對(duì)其導(dǎo)電遵從的影響都有限,是以特別合用于制作航天及核履行設(shè)備。
CMOS集成電路可控性好
CMOS集成電路輸出波形的回升和降落年光大要管束,其輸出的回升和降落年光的榜樣值為電路傳輸?shù)⒄`年光的1２5%~1４0%。
CMOS集成電路接口不便
由于CMOS集成電路的輸出阻抗高和輸出擺幅大,以是易于被另外電路所驅(qū)動(dòng),也利便驅(qū)動(dòng)另外典范的電路或器件。
