場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
直流參數(shù)
交流參數(shù)
極限參數(shù)
一、開(kāi)啟電壓UT
開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
二、夾斷電壓UP
夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)UGGS=UP時(shí)，漏極電流電流為零。
三、飽和漏極電流IDSS
耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng)UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。
四、直流輸入電阻RGS
柵源間所加的恒定電壓UGS與流過(guò)柵極場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)電流IGS之比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于197Ω
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管RGS約是109~1015Ω
五、漏源擊穿電壓BUDS
使ID開(kāi)始劇增時(shí)的UDSо
六、柵源擊穿電壓BUGS
JFET:反向飽和電流劇增時(shí)的柵源電壓
MOS：使SiO2絕緣層擊穿的電壓
1、低頻跨導(dǎo)gm
低頻跨導(dǎo)反映了場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)柵壓對(duì)漏極電流控制作用
gm的求法：
圖解法--gm實(shí)際就是轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)的斜率
解析法：如增強(qiáng)型MOS管存在ID=K(UGS-UT)2
2、襯底跨導(dǎo)gmb
反映出了襯底偏置場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)電壓對(duì)漏極電流ID的控制作用
3、漏極電阻rds
反映了UDS對(duì)ID的影響，實(shí)際上是輸出特性上工作點(diǎn)切線(xiàn)上的斜率
4、導(dǎo)通電阻Ron
在恒阻區(qū)內(nèi)
