瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)
MOSFET最重要的兩個(gè)參數(shù)是漏源電壓（VDSS）和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察，因?yàn)樗鼈冎挥挟?dāng)背板溫度到25OC時(shí)才能達(dá)到，切換時(shí)間僅在滿足數(shù)據(jù)瑞薩電子高壓MOS,高壓MOS注意要點(diǎn)說明書中所描述的特定條件下才適用。
一般來說Renesas高壓MOS數(shù)據(jù)手冊(cè)主要包含以下幾個(gè)部分：特性、極限值、電氣特性以及典型特性。
Renesas高壓MOS所具有的性能優(yōu)勢(shì)：
1、 具有比較低的Qg
2、 Vgs電壓±30 V
3、 具有比較低的導(dǎo)通阻抗
4、 很好的防雪崩能力
Renesas MOS采用了五代UMOS工藝，可以把RDS(ON)做的比較小，2SK3298B的導(dǎo)通瑞薩電子高壓MOS電阻只有0.75歐姆，可以大大減少M(fèi)OS的損耗。
極限值部分給出了10個(gè)參數(shù)的絕對(duì)最大值。器件運(yùn)行的時(shí)候一定不能超過此值，瑞薩電子高壓MOS否則會(huì)造成MOS永久的損壞。其中，尤其需要注意漏極電流和耗散功率的值是在25OC時(shí)給出的，在實(shí)際運(yùn)行中只能作為參考。
電氣特性部分主要含有幾個(gè)重要的參數(shù)：開啟關(guān)斷時(shí)間參數(shù)、跨導(dǎo)參數(shù)、結(jié)電容參數(shù)以及體內(nèi)二極管參數(shù)等。Renesas高壓MOS一般要比同類型的其它牌子的MOS開關(guān)速度快，但有個(gè)高壓MOS注意要點(diǎn)很重要的先決條件就是：柵極驅(qū)動(dòng)電壓要在10V以上，因?yàn)镽enesas高壓MOS結(jié)電容參數(shù)比較大。
典型特性部分給出了很多參數(shù)的動(dòng)態(tài)曲線。比較重要的參數(shù)曲線有：熱阻曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線、跨導(dǎo)曲線、導(dǎo)通電阻和漏極電流的關(guān)系曲線以及耗散功率和溫度的關(guān)系曲線等。耗散瑞薩電子高壓MOS,高壓MOS注意要點(diǎn)功率隨著溫度的升高而下降，導(dǎo)通電阻隨著溫度的升高而增大。
Renesas高壓MOS具有比較明顯的導(dǎo)通阻抗低、開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，但驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響了MOS的特性。為了達(dá)到良好的驅(qū)動(dòng)波形和開關(guān)特性，使管子能夠工作在比較理想的高壓MOS注意要點(diǎn)狀態(tài)，現(xiàn)結(jié)合數(shù)據(jù)手冊(cè)中的幾個(gè)參數(shù)影響和典型曲線注2加以分析。
1、RDS(ON)隨VGS的變化曲線：
由圖可知，當(dāng)VGS在小于10V的時(shí)候，RDS(ON)是比較大的，特別是在小于7-8V的時(shí)候，RDS(ON)幾乎是無窮大,管子幾乎沒有開啟。所以我們建議驅(qū)動(dòng)電壓一般瑞薩電子高壓MOS要在10V以上，高壓MOS注意要點(diǎn)這樣可以獲得比較低的導(dǎo)通阻抗和減小MOS的損耗。
2、由數(shù)據(jù)手冊(cè)得到Renesas高壓MOS的CISS、COSS、、CRSS是比較大的，所以為了獲得比較好的驅(qū)動(dòng)波形，建議柵極驅(qū)動(dòng)電阻不要太大，盡量在幾十歐姆。
3、跨導(dǎo)參數(shù)及曲線�？鐚�(dǎo)是MOS一個(gè)很重要的參數(shù)，反映了柵極驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)漏極電流的控制能力。由下圖的轉(zhuǎn)移特性曲線可知：當(dāng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)電壓在10V左右的時(shí)候，MOS漏極電流才能達(dá)到標(biāo)稱的值。
