深入分析靜電感應(yīng)器件的結(jié)構(gòu)形式和應(yīng)用
靜電感應(yīng)器件Static Induction Device——SID是一類新型的電力電子器件，主要包括靜電感應(yīng)晶體管Static Induetion Transistor——SIT、雙極型靜電感應(yīng)晶體管Bipolar-Mode Static Induction Transistor——BSIT和靜電感應(yīng)晶閘管Static Induction Thyristor——SITH，具有其它半導(dǎo)體器件無法比擬的一系列優(yōu)點(diǎn)，如控制功率大、工作頻率高、電流容量大、耐高壓、功耗小、噪聲低、抗輻射能力強(qiáng)、開通關(guān)斷全可控等，在很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用 本論文系統(tǒng)地闡述了SIT、SITH的作用理論，著重介紹了SID的結(jié)構(gòu)、I-V特性、電流傳輸機(jī)制及溝道勢壘的形成在此理論基礎(chǔ)上，結(jié)合器件制造的特點(diǎn)，靜電感應(yīng)器件對器件的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行了討論分析，并給出了具體的定值，利用L-edit版圖設(shè)計(jì)軟件設(shè)計(jì)了新的版圖 實(shí)驗(yàn)以制備電性能優(yōu)良的SID為出發(fā)點(diǎn)結(jié)構(gòu)形式,應(yīng)用結(jié)合SITH制作的經(jīng)驗(yàn)和存在的問題，在外延工藝中解決了外延反型的工藝難點(diǎn)，在挖槽工藝中使用三步刻槽靜電感應(yīng)器件法，得到穩(wěn)定的外延工藝和挖槽工藝條件，通過大量的實(shí)驗(yàn)，對部分工藝條件進(jìn)行了調(diào)整通過工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)，得到了具有典型混合I-V特性的復(fù)合SIT的工藝條件通過對試制管芯的測試，基本電性能有了明顯的改善，說明了制作方案是合理的、可行的
靜電感應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)形式 靜電感應(yīng)晶體管主要有結(jié)構(gòu)形式,應(yīng)用三種結(jié)構(gòu)形式:埋柵結(jié)構(gòu)、表面電極結(jié)構(gòu)和介質(zhì)覆蓋柵結(jié)構(gòu)。
①埋柵結(jié)構(gòu)是典型結(jié)構(gòu)（如圖），適用于低頻大功率器件；
�、诒砻骐姌O結(jié)構(gòu)適用于高頻和微波功率SIT;
③介質(zhì)覆蓋柵結(jié)構(gòu)是中國研制成功的，這種結(jié)構(gòu)既靜電感應(yīng)器件適用于低頻大功率器件，也適用于結(jié)構(gòu)形式,應(yīng)用高頻和微波功率器件，其特點(diǎn)是工藝難度小、成品率高、成本低、適于大量生產(chǎn)。
靜電感應(yīng)晶體管的應(yīng)用 靜電感應(yīng)晶體管的應(yīng)用范圍涉及到靜電感應(yīng)器件電機(jī)調(diào)速、感應(yīng)加熱系統(tǒng)、開關(guān)電源、高音質(zhì)高頻放大器、大功率中頻廣播發(fā)射機(jī)、電子鎮(zhèn)流器、汽車電子器件和空間、軍事等領(lǐng)域，可以說SIT的應(yīng)用結(jié)構(gòu)形式,應(yīng)用已深入到工業(yè)、航空、通信、日常生活等各個(gè)領(lǐng)域。
