SDRAM,SDRAM的主要參數(shù)，與一般DRAM的區(qū)別，典型芯片，分類與特點(diǎn)
(1) 容量。SDRAM的容量經(jīng)常用XX存儲(chǔ)單元×X體×每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)來(lái)表示。例如某SDRAM芯片的容量為4M×4×8bit，表明該存儲(chǔ)器芯片的容量為16 M字節(jié)。或128 M bit。
(2) 時(shí)鐘周期。它代表SDRAM所能運(yùn)行的最大頻率。顯然，這個(gè)數(shù)字越小說(shuō)明SDRAM芯片所能運(yùn)行的頻率就越高。
對(duì)于一片普通的PC-100 SDRAM來(lái)說(shuō)，它芯片上的標(biāo)識(shí)10代表了它的運(yùn)行時(shí)鐘周期為10 ns，即可以在100 MHz的外頻下正常工作。例如芯片上標(biāo)有7.5，表示它可以運(yùn)行在133MHz的頻率上。
(3) 存取時(shí)間。目前大多數(shù)SDRAM芯片的存取時(shí)間為5、6、7、8或10 ns，但這可不同于系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。比如芯片廠家給出的存取時(shí)間為7 ns而不是存取周期。因此，它的系統(tǒng)時(shí)鐘周期要長(zhǎng)一些，例如10 ns，即外頻為100 MHz。
(4) CAS的延遲時(shí)間。這是列地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM(當(dāng)外頻為100 MHz時(shí))都能運(yùn)行在CASLatency(CL)＝2或3的模式下，也就是說(shuō)，這時(shí)它們讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間可以是兩個(gè)時(shí)鐘周期也可以是三個(gè)時(shí)鐘周期。在SDRAM的制造過(guò)程中，可以將這個(gè)特性寫(xiě)入SDRAM的EEPROM中，在開(kāi)機(jī)時(shí)主板的BIOS就會(huì)檢查此項(xiàng)內(nèi)容，并以CL＝2這一默認(rèn)的模式運(yùn)行。
(5) 綜合性能的評(píng)價(jià)。對(duì)于PC 100內(nèi)存來(lái)說(shuō)，就是要求當(dāng)CL＝3的時(shí)候，tCK(時(shí)鐘周期) 的數(shù)值要小于10 ns，tAC要小于6 ns。至于為什么要強(qiáng)調(diào)是CL＝3的時(shí)候呢，這是因?yàn)閷?duì)于同一個(gè)內(nèi)存條，當(dāng)設(shè)置不同CL數(shù)值時(shí)，tCK的值很可能是不相同的，當(dāng)然tAC的值也是不太可能相同的�？傃舆t時(shí)間的計(jì)算公式一般為：
總延遲時(shí)間＝系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)＋存取時(shí)間例如，某PC100內(nèi)存的存取時(shí)間為6 ns，我們?cè)O(shè)定CL模式數(shù)為2(即CAS Latency＝2)，則總延遲時(shí)間＝10 ns×2＋6 ns＝26 ns。這就是評(píng)價(jià)內(nèi)存性能高低的重要數(shù)值。
SDRAM與標(biāo)準(zhǔn)DRAM的主要不同表現(xiàn)在：
(1) 異步與同步。前面介紹的標(biāo)準(zhǔn)DRAM是異步DRAM，也就是說(shuō)對(duì)它讀/寫(xiě)的時(shí)鐘與CPU的時(shí)鐘是不一樣的。而在SDRAM工作時(shí)，其讀/寫(xiě)過(guò)程是與CPU時(shí)鐘(PC機(jī)中是由北橋提供的)嚴(yán)格同步的。
(2) 內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)。SDRAM芯片的內(nèi)部存儲(chǔ)單元在組織上與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有很大的不同。在SDRAM內(nèi)部一般要將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)單元分成兩個(gè)以上的體(bank)。最少兩個(gè)，目前一般做到4個(gè)。這樣一來(lái)，當(dāng)對(duì)SDRAM進(jìn)行讀/寫(xiě)時(shí)，選中的一個(gè)體(bank)在進(jìn)行讀/寫(xiě)時(shí)，另外沒(méi)有被選中的體(bank)便可以預(yù)充電，做必要的準(zhǔn)備工作。當(dāng)下一個(gè)時(shí)鐘周期選中它讀或?qū)憰r(shí)，它可以立即響應(yīng)，不必再做準(zhǔn)備。這顯然能夠提高SDRAM的讀/寫(xiě)速度。而標(biāo)準(zhǔn)DRAM 在讀/寫(xiě)時(shí)，當(dāng)一個(gè)讀/寫(xiě)周期結(jié)束后，RAS和CAS都必須停止激活，然后要有一個(gè)短暫的預(yù)充電期才能進(jìn)入到下一次的讀/寫(xiě)周期中，其速度顯然會(huì)很慢。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM可以看成內(nèi)部只有一個(gè)體的SDRAM。
