DDR存儲(chǔ)器,DDR存儲(chǔ)器的分類,DDR存儲(chǔ)器參數(shù)指標(biāo)等
DDR存儲(chǔ)器的主要優(yōu)勢(shì)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，數(shù)據(jù)傳輸頻率為200 MHz，而總線速度則為100 MHz。
DDR1、DDR2和DDR3存儲(chǔ)器的電壓分別為2.5、1.8和1.5V，因此與采用3.3V的正常SDRAM芯片組相比，它們?cè)陔娫垂芾碇挟a(chǎn)生的熱量更少，效率更高。
延時(shí)性是DDR存儲(chǔ)器的另一特性。存儲(chǔ)器延時(shí)性可通過(guò)一系列數(shù)字體現(xiàn)，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。這些數(shù)字表明存儲(chǔ)器進(jìn)行某一操作所需的時(shí)鐘脈沖數(shù)，數(shù)字越小，存儲(chǔ)越快。
這些數(shù)字代表的操作如下：CL- tRCD – tRP – tRAS – CMD。要理解它們，您必須牢記存儲(chǔ)器被內(nèi)部組織為一個(gè)矩陣，數(shù)據(jù)保存在行和列的交叉點(diǎn)。
CL：列地址選通脈沖（CAS）延遲，是從處理器發(fā)出數(shù)據(jù)內(nèi)存請(qǐng)求到存儲(chǔ)器返回內(nèi)存間的時(shí)間。
tRCD：行地址選通脈沖（RAS）到CAS的延遲，是激活行（RAS）和激活列（CAS）間的時(shí)間，其中，數(shù)據(jù)保存在矩陣中。
tRP：RAS預(yù)充電時(shí)間，是禁用數(shù)據(jù)行接入和開始另一行數(shù)據(jù)接入間的時(shí)間。
tRAS：激活預(yù)充電延時(shí)，是在啟動(dòng)下一次存儲(chǔ)器接入前存儲(chǔ)器必須等待的時(shí)間。
CMD：命令速率是存儲(chǔ)芯片激活和向存儲(chǔ)器發(fā)送第一個(gè)命令間的時(shí)間。有時(shí)，該值不會(huì)公布。它通常是T1（1個(gè)時(shí)鐘速度）或T2（2個(gè)時(shí)鐘速度）。
表1是在當(dāng)今計(jì)算機(jī)中可以發(fā)現(xiàn)的RAM存儲(chǔ)器芯片組的時(shí)鐘和傳輸速率的比較，包括SDR、DDR、DDR2和未來(lái)的DDR3模塊。
目前，有三代DDR存儲(chǔ)器：
