FRAM存儲器,FRAM存儲器的基本原理，說明，指令集，特點，典型應用
● 采用2048×8位存儲結(jié)構(gòu)；
● 讀寫次數(shù)高達1百億次；
● 在溫度為55℃時，10年數(shù)據(jù)保存能力；
● 無延時寫入數(shù)據(jù)；
● 先進的高可靠性鐵電存儲方式；
● 連接方式為高速串行接口（SPI）總線方式，且具有SPI方式0和3兩種方式；
● 總線頻率高達5MHz；
● 硬件上可直接取代EEPROM；
● 具有先進的寫保護設計，包括硬件保護和軟件保護雙重保護功能；
● 低功耗，待機電流僅為10μA；
● 采用單電源+5V供電；
● 工業(yè)溫度范圍：-40℃至+85℃；
● 采用8腳SOP 或DIP封裝形式；
基于以上特點， FRAM存儲器非常適用于非易失性且需要頻繁快速存儲數(shù)據(jù)的場合。其應用范圍包括對寫周期時序有嚴格要求的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和使用EEPROM時由于其寫周期長而可能會引起數(shù)據(jù)丟失的工業(yè)控制等領域。
(1) 早期的FRAM讀/寫速度不一樣，寫入時間更長一些，在使用上要注意。近期的FRAM讀/寫速度是一樣的。例如，上述FM1808的一次讀/寫時間為70 ns。一般地，一次讀/寫的時間短，而連續(xù)的讀/寫周期要長一些。例如，Ramtron公司新近推出的128 K×8 bit的FRAM芯片F(xiàn)M20L08的一次讀/寫時間為60ns，而其連續(xù)的讀/寫周期為150 ns。這對多數(shù)工控機來說還是可以滿足要求的。
(2) FRAM在功耗、寫入速度等許多方面都遠遠優(yōu)于EPROM或EEPROM。這里特別提出的是寫入次數(shù)，F(xiàn)RAM比EPROM或EEPROM要大得多。EPROM的寫入次數(shù)在萬次左右，而EEPROM的寫入次數(shù)一般為1萬～10萬次，個別芯片能達到100萬次。
早期的FRAM的寫入次數(shù)為幾百億次，而目前的芯片可達萬億次甚至是無限多次。
