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FeRam,FeRam的特點(diǎn)，應(yīng)用，發(fā)展前景 2011/10/3

FeRam的特點(diǎn)

　　FeRam具有不揮發(fā)性和抗輻射性，功耗低，寫操作速度快，可比EEPROM高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，寫操作次數(shù)高，可達(dá)100億次，比EEPROM高數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。FeRAM被認(rèn)為是未來存儲(chǔ)技術(shù)的主流，根據(jù)預(yù)測(cè)，今后若干年內(nèi)可能取代EEPROM，甚至DRAM，SRAM而占據(jù)每年幾百億美元市場(chǎng)，將在非接觸IC卡，移動(dòng)電話，手提計(jì)算機(jī)，嵌入式微處理器，AIR BAG等方面得到廣泛應(yīng)用。這一技術(shù)有巨大的市場(chǎng)價(jià)值。同時(shí)體現(xiàn)了材料、技術(shù)和多種物理效應(yīng)的集成，對(duì)它的研究同時(shí)有著重要的科學(xué)意義。

　　FeRam是一種理想的存儲(chǔ)器.在計(jì)算機(jī)、航天航空、軍工等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.FeRAM是當(dāng)前鐵電薄膜存儲(chǔ)器的主要研究和開發(fā)方向，世界上許多大的半導(dǎo)體公司對(duì)此都十分重視.如美國的Ramtron公司在1995年開發(fā)出4—6kbit的并行和串行結(jié)構(gòu)的FeRAM產(chǎn)品.該公司與Symetrix共同組建聯(lián)合體，計(jì)劃在1998年推出16Mbit FeRAM產(chǎn)品，投放市場(chǎng).

　　從目前的市場(chǎng)情況看，不揮發(fā)存儲(chǔ)器的市場(chǎng)增長速度已高于DRAM和SRAM。應(yīng)用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動(dòng)電話、掌上電腦、手提計(jì)算機(jī)、嵌入式微處理器等領(lǐng)域。不揮發(fā)存儲(chǔ)器最巨大的市場(chǎng)增長點(diǎn)在嵌入式存儲(chǔ)器方面。嵌入式存儲(chǔ)器陣列主要用于3個(gè)領(lǐng)域；非接觸存儲(chǔ)卡需要低密度（≤16Kb）不揮發(fā)存儲(chǔ)器（NVM），當(dāng)今市場(chǎng)較�。ā�100Ｍ$），但具有巨大市場(chǎng)潛力。智能卡（ＳmartＣard）中需要中等密度到高密度（128Kb-1Mb）的NVM，目前市場(chǎng)規(guī)模為100M$,但增長極其快。嵌入式系統(tǒng)采用各種規(guī)模的ＮＶＭ（--２Ｍb）。估計(jì)市場(chǎng)為500M$-1B$,但在今后５年內(nèi)增長極快。目前市場(chǎng)上的較低容量（１Ｍbit以下）的FeRAM的應(yīng)用方向是為了取代同等容量的Ｅ２PROM。為此，其管腳設(shè)計(jì)和輸入輸出接口都采用現(xiàn)有的Ｅ２PROM的規(guī)范，這樣就可以做到在對(duì)現(xiàn)有系統(tǒng)不作任何改動(dòng)的情況下，直接取代Ｅ２PROM。

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